关于 AOT10B65M1
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AOT10B65M1TO220反向开展与IGBT的单片体二极管65020101.60.180.1324 型号:AOT10B65M1 品牌:美国万代/AOS 封装:TO220 配置:反向开展与IGBT的单片体二极管 VCE (max) (V):650 IC (max) 25℃ (A):80 IC (max) 100℃ (A):20 VCE(sat) (typ) (v):1.6 EON (typ) (MJ):0.18 EOFF (typ) (MJ):0.13 Qg (typ) (nc):32 关键词:飞捷士科技,深圳飞捷士产线简介
AOT10B65M1TO220反向开展与IGBT的单片体二极管65020101.60.180.1324
型号:AOT10B65M1
品牌:美国万代/AOS
封装:TO220
配置:反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) (V):650
型号:AOT10B65M1
品牌:美国万代/AOS
封装:TO220
配置:反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) (V):650
IC (max) 25℃ (A):80
IC (max) 100℃ (A):20
VCE(sat) (typ) (v):1.6
EON (typ) (MJ):0.18
EOFF (typ) (MJ):0.13
Qg (typ) (nc):32
关键词:飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,美国万代/AOS产品
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