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AOT8B65M3TO220反向开展与IGBT的单片体二极管6501682.050.130.1114 型号：AOT8B65M3 品牌：美国万代/AOS 封装：TO220 配置：反向开展与IGBT的单片体二极管 VCE (max) （V）：650 IC (max) 25℃ (A)：30 IC (max) 100℃ (A)：20 VCE(sat) (typ) (v)：2.05 EON (typ) (MJ):0.13 EOFF (typ) (MJ):0.11 Qg (typ) (nc):14 关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,产线简介
AOT8B65M3TO220反向开展与IGBT的单片体二极管6501682.050.130.1114
型号：AOT8B65M3
品牌：美国万代/AOS
封装：TO220
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
型号：AOT8B65M3
品牌：美国万代/AOS
封装：TO220
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
IC (max) 25℃ (A)：30
IC (max) 100℃ (A)：20
VCE(sat) (typ) (v)：2.05
EON (typ) (MJ):0.13
EOFF (typ) (MJ):0.11
Qg (typ) (nc):14
关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,美国万代/AOS产品
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