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AOTF10B60DTO220F反向开展与IGBT的单片体二极管60020101.530.260.0717.4 型号：AOTF10B60D 品牌：美国万代/AOS 封装：TO220F 配置：反向开展与IGBT的单片体二极管 VCE (max) （V）：600 IC (max) 25℃ (A)：10 IC (max) 100℃ (A)：20 VCE(sat) (typ) (v)：1.53 EON (typ) (MJ):0.26 EOFF (typ) (MJ):0.07 Qg (typ) (nc):17.4 关键词：飞捷士产线简介
AOTF10B60DTO220F反向开展与IGBT的单片体二极管60020101.530.260.0717.4
型号：AOTF10B60D
品牌：美国万代/AOS
封装：TO220F
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：600
型号：AOTF10B60D
品牌：美国万代/AOS
封装：TO220F
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：600
IC (max) 25℃ (A)：10
IC (max) 100℃ (A)：20
VCE(sat) (typ) (v)：1.53
EON (typ) (MJ):0.26
EOFF (typ) (MJ):0.07
Qg (typ) (nc):17.4
关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,美国万代/AOS产品
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