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AOTF10B65M1TO220F反向开展与IGBT的单片体二极管65020101.60.180.1324 型号：AOTF10B65M1 品牌：美国万代/AOS 封装：TO220F 配置：反向开展与IGBT的单片体二极管 VCE (max) （V）：650 IC (max) 25℃ (A)：80 IC (max) 100℃ (A)：20 VCE(sat) (typ) (v)：1.6 EON (typ) (MJ):0.18 EOFF (typ) (MJ):0.13 Qg (typ) (nc):32 关键词：飞捷士科技,深产线简介
AOTF10B65M1TO220F反向开展与IGBT的单片体二极管65020101.60.180.1324
型号：AOTF10B65M1
品牌：美国万代/AOS
封装：TO220F
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
型号：AOTF10B65M1
品牌：美国万代/AOS
封装：TO220F
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
IC (max) 25℃ (A)：80
IC (max) 100℃ (A)：20
VCE(sat) (typ) (v)：1.6
EON (typ) (MJ):0.18
EOFF (typ) (MJ):0.13
Qg (typ) (nc):32
关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,美国万代/AOS产品
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