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NCE60NP2012KTO-252-4LN602050±201.6 型号：NCE60NP2012K 品牌：新洁能/NCE 封装：TO-252-4L 极性：N V(BR)DSS（V）：60 ID（A）：-25 PD（w ）：1.6 VGS (v)：±20 VGS(th) (v):1.6 关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,新洁能产品产线简介
NCE60NP2012KTO-252-4LN602050±201.6
型号：NCE60NP2012K
品牌：新洁能/NCE
封装：TO-252-4L
极性：N
V(BR)DSS（V）：60
型号：NCE60NP2012K
品牌：新洁能/NCE
封装：TO-252-4L
极性：N
V(BR)DSS（V）：60
ID（A）：-25
PD（w ）：1.6
VGS (v)：±20
VGS(th) (v):1.6
关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,新洁能产品
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