关于 AOD5B65M1E
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AOD5B65M1EDPAK (TO-252)反向开展与IGBT的单片体二极管6501052.150.090.068.8 型号:AOD5B65M1E 品牌:美国万代/AOS 封装:DPAK (TO-252) 配置:反向开展与IGBT的单片体二极管 VCE (max) (V):650 IC (max) 25℃ (A):150 IC (max) 100℃ (A):15 VCE(sat) (typ) (v):2.15 EON (typ) (MJ):0.09 EOFF (typ) (MJ):0.06 Qg (typ) (nc):8.8产线简介
AOD5B65M1EDPAK (TO-252)反向开展与IGBT的单片体二极管6501052.150.090.068.8
型号:AOD5B65M1E
品牌:美国万代/AOS
封装:DPAK (TO-252)
配置:反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) (V):650
型号:AOD5B65M1E
品牌:美国万代/AOS
封装:DPAK (TO-252)
配置:反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) (V):650
IC (max) 25℃ (A):150
IC (max) 100℃ (A):15
VCE(sat) (typ) (v):2.15
EON (typ) (MJ):0.09
EOFF (typ) (MJ):0.06
Qg (typ) (nc):8.8
关键词:飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,美国万代/AOS产品
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