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AOD5B65M1HDPAK (TO-252)反向开展与IGBT的单片体二极管6501051.570.080.0714 型号：AOD5B65M1H 品牌：美国万代/AOS 封装：DPAK (TO-252) 配置：反向开展与IGBT的单片体二极管 VCE (max) （V）：650 IC (max) 25℃ (A)：80 IC (max) 100℃ (A)：10 VCE(sat) (typ) (v)：1.57 EON (typ) (MJ):0.08 EOFF (typ) (MJ):0.07 Qg (typ) (nc):14产线简介
AOD5B65M1HDPAK (TO-252)反向开展与IGBT的单片体二极管6501051.570.080.0714
型号：AOD5B65M1H
品牌：美国万代/AOS
封装：DPAK (TO-252)
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
型号：AOD5B65M1H
品牌：美国万代/AOS
封装：DPAK (TO-252)
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
IC (max) 25℃ (A)：80
IC (max) 100℃ (A)：10
VCE(sat) (typ) (v)：1.57
EON (typ) (MJ):0.08
EOFF (typ) (MJ):0.07
Qg (typ) (nc):14
关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,美国万代/AOS产品
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