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AOD6B65MQ1EDPAK (TO-252)反向开展与IGBT的单片体二极管6501281.90.110.0813.5 型号：AOD6B65MQ1E 品牌：美国万代/AOS 封装：DPAK (TO-252) 配置：反向开展与IGBT的单片体二极管 VCE (max) （V）：650 IC (max) 25℃ (A)：10 IC (max) 100℃ (A)：10 VCE(sat) (typ) (v)：1.9 EON (typ) (MJ):0.081 EOFF (typ) (MJ):0.11 Qg (typ) (nc):13.产线简介
AOD6B65MQ1EDPAK (TO-252)反向开展与IGBT的单片体二极管6501281.90.110.0813.5
型号：AOD6B65MQ1E
品牌：美国万代/AOS
封装：DPAK (TO-252)
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
型号：AOD6B65MQ1E
品牌：美国万代/AOS
封装：DPAK (TO-252)
配置：反向开展与IGBT的单片体二极管
VCE (max) （V）：650
IC (max) 25℃ (A)：10
IC (max) 100℃ (A)：10
VCE(sat) (typ) (v)：1.9
EON (typ) (MJ):0.081
EOFF (typ) (MJ):0.11
Qg (typ) (nc):13.5
关键词：飞捷士科技,深圳飞捷士,IGBT功率模块,MOS管,电源管理IC,LED驱动IC,MOSFETs,WIFI芯片,低压MOS,IGBT单管/模块,场效应管,快恢复肖特基,二极管,半导体分销,美国万代/AOS产品
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